温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种基于后通孔技术的三维半导体集成封装结构及工艺。该三维集成封装结构包括载板(晶圆)、第一芯粒、第二芯粒、塑封结构、第一局部互连层、第二局部互连层、第一再布线层、第二再布线层。将载板减薄并刻蚀出若干硅通孔；在通孔内沉积阻挡层、TS...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。