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本公开的各实施例总体上涉及具有两个高电子迁移率晶体管的堆叠的电子器件。本公开涉及电子器件，电子器件包括：从第一表面到第二表面堆叠的两个高电子迁移率晶体管的第一堆叠和第二堆叠，两个高电子迁移率晶体管被称为第一晶体管和第二晶体管，第一堆叠和第二...
该专利属于埃克斯甘公司所有，仅供学习研究参考，未经过埃克斯甘公司授权不得商用。

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