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本公开提供一种存储器件、半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底，衬底具有阵列区；在阵列区上形成多个间隔分布的位线结构，每个位线结构上均形成有覆盖层，覆盖层的侧壁依次形成有第一绝缘层和第二绝缘层，相邻两个位线结构...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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