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本发明提供了一种RRAM下电极结构及其形成方法，其中的方法包括：以平坦化的第一金属/介电层作为衬底，使所述第一金属/介电层的表面全部或部分裸露出第一金属；在预设浸润温度下以硅烷浸润所述第一金属/介电层，以在所述第一金属表面形成第一金属硅化物...
该专利属于昕原半导体（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昕原半导体（杭州）有限公司授权不得商用。

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