温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种新型高压玻璃保护芯片制程工艺，包括如下步骤：S1、配制磷源；S2、磷预扩散；S3、磷/硼一次全扩散；S4、一次光刻；S5、SIPOS沉积；S6、电泳玻璃；S7、一次刀刮玻璃；S8、二次刀刮玻璃；S9、LTO沉积；S10、二次...
该专利属于常州银河电器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州银河电器有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。