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本发明的目的在于提供一种基于单质碲薄膜的非易失性存储器及其制备方法，属于铁电存储器技术领域。本发明非易失性存储器的核心区采用在空气中具有极强的稳定性的碲烯，极大提升了存储器的稳定性以及降低了室温下存储器制备的难度，解决了传统二维材料作为存储...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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