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本发明公开了一种半导体器件，包括：基体，包括设置栅极结构和有源结构的衬底层；位于基体上方的第一介质层；联接构件，所述联接构件为一导电构件，所述联接构件连续地直接贯穿所述第一介质层并连接所述栅极结构或/和有源结构；金属层，需要与所述金属层连通...
该专利属于广州集成电路技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州集成电路技术研究院有限公司授权不得商用。

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