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本发明提供一种有更低应力的氧化物薄膜晶体管阵列基板，包括：基板；第一金属层；第一绝缘层；有源层；第二金属层；第二绝缘层；第三绝缘层；第三金属层；第四绝缘层；第一ITO层；第五绝缘层，设于所述第一ITO层上；所述第五绝缘层在TFT上方的无效区...
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