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本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，制作方法包括：提供基底，顶部设置有第一沟槽；在第一沟槽上形成多个L型堆叠的有源区，有源区包括交替堆叠的第一导电层和第一介质层；去除部分第一导电层，以在有源区中形成L型的第二沟槽；形成电容结构，...
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