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本发明提供一种基于量子点的单光子源及其制备方法，基于量子点的单光子源由下至上依次包括：基板、正电极、空穴注入层、内含硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点的三氧化二铝层、电子注入层及负电极；内含硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点的三...
该专利属于上海南麟电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海南麟电子股份有限公司授权不得商用。

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