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一种半导体器件及其制作方法技术
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文档序号:35230630
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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括支撑衬底、埋氧层以及光波导材料层;在光波导材料层上表面沉积硬掩模层;通过三次及以上的光刻刻蚀步骤,在硬掩模层上刻蚀出与目标光波导形貌一致的硬掩模图案,所...
该专利属于杭州光智元科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州光智元科技有限公司授权不得商用。
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