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本发明公开了一种二维材料传输门混频器，包括：沟道层，为开关比大于103的二维半导体材料，包括两条第一沟道、两条第二沟道，两条第一沟道的两端分别与两条第二沟道的两端电连接；控制栅电极层，包括第一控制栅电极和第二控制栅电极，第一控制栅电极与两条...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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