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本发明涉及一种微下拉区熔法生长片状氧化镓晶体的方法与生长装置，该方法包括：在加热炉内安装感应热场、感应坩埚、竖直悬挂氧化镓原料棒且其末端置于坩埚底部，将片状氧化镓单晶籽晶固定于籽晶杆顶端；炉内抽真空后充入流动生长气氛，加热升温至原料棒下端在...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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