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本公开提出一种集成电路(IC)结构布局以提高存储器阵列的效能，例如静态随机存取存储器(SRAM)。示例性IC装置包括SRAM单元和电性耦接至SRAM单元的互连结构。互连结构包括电性耦接至SRAM单元的第一金属层，第一金属层包括位元线、具有第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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