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本实用新型涉及一种半导体器件的终端结构，尤其是一种高可靠性场限环终端结构，属于半导体器件的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述高可靠性场限环终端结构，包括第一导电类型衬底以及设置于所述第一导电类型衬底内的主结，所述主结包括柱面结；在...
该专利属于江苏芯长征微电子集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏芯长征微电子集团股份有限公司授权不得商用。

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