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本发明公开了一种功率半导体的元胞结构、功率半导体及其制造方法，其中元胞结构包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层及栅极结构，栅极结构的顶部和栅极结构之间形成有源极金属层，第一导电类型衬底的底部形成有漏极金属层，第一导电类型外延层内形成有栅...
该专利属于厦门中能微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门中能微电子有限公司授权不得商用。

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