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本发明公开了一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法，其漂移层包括nx第一漂移层和设于nx第一漂移层上的n
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该专利属于厦门紫硅半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门紫硅半导体科技有限公司授权不得商用。

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