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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有沟道结构，包括一个或多个沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，基底上还形成有横跨沟道结构的伪栅结构；对相邻伪栅结构之间的沟道结构进行第一开槽处理，形成贯穿沟道结构的沟槽，第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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