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本发明公开了一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件，包括衬底和设置在衬底上方的GaN层，所述GaN层上方设置有源极、漏极和T型栅极，所述源极和漏极之间设置有势垒层，所述势垒层包括势垒层本体、源端掺杂区和漏端掺杂区，所述源端掺杂区和漏端掺杂区...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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