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本申请涉及一种衬底、半导体结构及其制备方法。本申请中衬底的制备方法包括：提供初始衬底；在初始衬底的上表面形成掩模层，掩模层具有掩模图案；基于掩模图案，在初始衬底内形成隔离沟槽；对掩模图案的侧壁进行回刻，以暴露出部分初始衬底的上表面；暴露出的...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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