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本发明公开一种半导体器件插塞形成方法及其半导体器件。在所提出的半导体器件插塞形成方法中，所述半导体器件包括深沟槽结构及配置于该深沟槽结构内的存储节点，该方法包括：(a)在所述深沟槽结构内填充单层膜，并覆盖所述存储节点；以及(b)回刻所述单层...
该专利属于芯合半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯合半导体公司授权不得商用。

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