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本公开涉及一种半导体装置及一种用于形成避免其短路的字线结构的方法。所述半导体装置包含：衬底；存储器单元区，其提供于所述衬底上方；外围区，其提供于所述衬底上方且邻近于所述存储器单元区；多个字线，其跨越所述存储器单元区和所述外围区延伸；及多个触...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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