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本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一包括半导体层、隔离结构、有源区及栅极结构的半导体结构；于半导体结构的上表面依次形成阻挡层及位于阻挡层上表面的光阻层；形成位于光阻层中的第一开口，第一开口的底部显...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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