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本发明公开一种低温烧结致密氧离子导体材料及其制备方法。所述低温烧结致密氧离子导体材料由85~99wt%的单斜相ZrO2陶瓷基体和1~15wt%的铜基三元氧化物助烧剂组成；所述铜基三元氧化物的组成为CuO
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该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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