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本公开实施例提供了一种晶体管及其制备方法、以及存储器，该晶体管包括：衬底，所述衬底包括有源区；栅极结构，所述栅极结构穿过所述有源区；所述栅极结构包括栅极和栅极介质层，所述栅极介质层覆盖所述栅极的侧壁和底部；沟道层，位于所述栅极介质层相对远离...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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