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本发明提供一种芯片内部接近无损的高精度电流采样电路及方法，所述电路包括金属采样电阻Rsample、开关sw1、开关sw2、修调电阻Rt1、修调电阻Rt2、电阻Rt、运算放大器OS、MOS管Mo、电阻Rsnsout和修调模块trim；其中，所...
该专利属于成都市易冲半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都市易冲半导体有限公司授权不得商用。

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