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根据本发明的发光二极管芯片包括：发光结构体，包括活性层；以及分布布拉格反射器(DBR)。该DBR包括相互交替层叠的具有低折射率的第一材料层以及具有高折射率的第二材料层的对。并且，DBR针对从发光结构体发出的光的峰值波长(λ)，包括：第一区域...
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