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根据本公开的方法包括接收一工作部件，其包括第一源极/漏极特征部件、位于第一源极/漏极特征部件上的第一介电层，以及设置于第一介电层及第一源极/漏极特征部件上的源极/漏极接点。上述方法更包括沉积一第二介电层于源极/漏极接点及第一介电层上、形成一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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