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一种锗硅的光波导器件，包括一个ＳｉＧｅ的波导阵列光栅的波长复用／解复用器和一组ＳｉＧｅ的光探测器。它工作光波长范围１．１～１．６微米。制作方法为：器件基片通过一次外延得到，先生长低Ｇｅ组分的ＳｉＧｅ导波层；然后生长具有高Ｇｅ组分的ＳｉＧｅ光...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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