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本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种MOSFET的自动布局方法及装置。其中，该MOSFET的自动布局方法，包括：获取至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管MOS参数集合；根据MOS布局Layout模块，基于至少一个MOS参数集合，构建至少...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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