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本发明涉及微电子集成电路技术领域，具体涉及一种SONOS型FinFET器件结构及工艺集成方法，该结构由一个pMOS选择管和两个SONOS型pFLASH管1A、1B组成；pMOS选择管位于两个pFLASH管1A、1B的中部；其中pFLASH管...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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