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本实用新型提供一种集成栅极电阻结构，涉及半导体器件技术领域，包括：一栅极电阻本体，串联于所述栅极区域的一栅极压焊点和一栅极之间，且所述栅极电阻本体采用负温度系数或具有预设温度系数值的正温度系数的阻性材料制备而成；所述预设温度系数值不大于0....
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