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本发明公开了一种高效生长三硫化二锡单晶热电材料的方法，包括以下步骤：S1、将Sn、S两种高纯单质按比例进行称量；S2、将称量好的Sn、S两种单质装在石英管里，再将石英管抽至真空后，并用氢氧焰枪密封；S3、将密封后的石英管放在管式炉中进行热反...
该专利属于福州大学所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学授权不得商用。

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