温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法，包括：步骤1：获取基座，并在所述基座的表面设置按照预设位置分布的焊点，得到基座层；步骤2：将氮化镓芯片利用第一结合材焊接在所述基座层，将散热片利用第二结合材焊接在所述氮化镓芯片上方，且将所述...
该专利属于深圳市冠禹半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市冠禹半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。