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提供半导体结构及其形成方法。在一实施例,一种例示方法包括:形成从基底的前侧延伸的鳍状结构;将鳍状结构的源极区凹陷以形成一源极开口;在源极开口的下方形成半导体插塞;从基底的背侧暴露半导体插塞;选择性移除基底的第一部分而未移除基底邻近半导体插塞...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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提供半导体结构及其形成方法。在一实施例,一种例示方法包括:形成从基底的前侧延伸的鳍状结构;将鳍状结构的源极区凹陷以形成一源极开口;在源极开口的下方形成半导体插塞;从基底的背侧暴露半导体插塞;选择性移除基底的第一部分而未移除基底邻近半导体插塞...