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存储器及其制造方法技术
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文档序号:34384091
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本发明实施例提供了一种存储器及其制造方法,其中,所述存储器的制造方法包括:提供第一堆叠结构;所述第一堆叠结构包括若干交替堆叠设置的第一绝缘层和第一牺牲层,所述第一堆叠结构的至少一侧形成有阶梯结构;所述阶梯结构的每层阶梯的顶面为第一牺牲层;在...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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