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本发明公开了一种利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法，其步骤主要包括(a)将多个半导体组件置入一处理腔室内；(b)使该处理腔室内的温度上升至一第一预定温度，同时输入气体使压力上升至一预定压力，让该处理腔室笼罩在高温及高压的工作环境中，在该第一...
该专利属于印能科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过印能科技股份有限公司授权不得商用。

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