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本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别涉及一种半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、n层包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、p型包覆层和p型半导体，其中有源层为In
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该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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