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本申请涉及集成式组合件和形成集成式组合件的方法。一些实施例包含具有第一存储器区、从所述第一存储器区偏移的第二存储器区和在所述第一和第二存储器区之间的中间区的集成式组合件。沟道材料柱布置在所述第一和第二存储器区内。导电柱布置在所述中间区内。面...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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