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一种半导体器件，包括：第一源极/漏极；第二源极/漏极，在水平方向上与所述第一源极/漏极隔离以不直接接触；沟道，在所述第一源极/漏极与所述第二源极/漏极之间延伸；栅极，围绕所述沟道；上内间隔物，在所述栅极与所述第一源极/漏极之间并且在所述沟道...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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