温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,包括衬底以及凸出于衬底的鳍部,基底包括用于形成第一器件的第一区域以及用于形成第二器件的第二区域,其中,第一器件的工作电压大于第二器件的工作电压;形成保形覆盖第一区域和第二区域的鳍部的第一栅...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,包括衬底以及凸出于衬底的鳍部,基底包括用于形成第一器件的第一区域以及用于形成第二器件的第二区域,其中,第一器件的工作电压大于第二器件的工作电压;形成保形覆盖第一区域和第二区域的鳍部的第一栅...