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本实用新型提供一种超低压低容单向保护器，该一种超低压低容单向保护器设置有电极衬底，电极衬底上依次连接有第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、第五掺杂区、第六掺杂区，连通电极连接于第六掺杂区的一端。第二掺杂区与第一掺杂区之间连接有第...
该专利属于深圳长晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳长晶微电子有限公司授权不得商用。

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