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本发明涉及一种SRAM芯片安全性能的测试方法，属于芯片检测技术领域，解决了现有技术评估变量过于单一、无法准确衡量老化压印的问题。该方法包括步骤：对多个待测SRAM芯片上电，并对其存储阵列的背栅电压进行初始化，获得每一SRAM芯片的一次上电初...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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