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本发明涉及一种高效集成半导体功率器件的散热结构及方法,该散热机构包括:器件本体,所述器件本体设置为环形管状结构,且所述器件本体的环形中心形成散热流道,所述散热流道内不断有冷却流体流过;散热金属面,所述散热金属面设置在所述器件本体的环形内壁上...该专利属于北京亿华通科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京亿华通科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种高效集成半导体功率器件的散热结构及方法,该散热机构包括:器件本体,所述器件本体设置为环形管状结构,且所述器件本体的环形中心形成散热流道,所述散热流道内不断有冷却流体流过;散热金属面,所述散热金属面设置在所述器件本体的环形内壁上...