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半导体存储装置，包括阵列区以及围绕着阵列区的周围区。阵列区包括多个有源区以及位于有源区之间的第一绝缘层。周围区包括周围结构、围绕着周围结构的第二绝缘层，以及围绕着第二绝缘层的第三绝缘层。至少一埋入式字线，延伸穿过阵列区及周围区，其中埋入式字...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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