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一种化学机械研磨方法及化学机械研磨装置，可将基板装载于化学机械研磨(CMP)装置上，化学机械研磨装置包括研磨垫及支撑基板的晶圆载体。晶圆载体包括背侧板、晶圆载体框架以及至少一光学垂直位移量测单元。光学垂直位移量测单元包括相应激光源及相应像素...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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