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本实用新型公开了一种IGBT版图结构，包括沟槽、栅极跑道和发射极金属，所述沟槽中包括至少一条与所述栅极跑道连接的第一沟槽，以及至少一条与所述发射极金属连接的第二沟槽；所述栅极跑道内设置第一连接孔，所述第一连接孔用于连接所述第一沟槽与所述栅极...
该专利属于上海埃积半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海埃积半导体有限公司授权不得商用。

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