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本实用新型公开了一种双E型霍尔磁场感测元件，通过在半导体基板上设置第一E型深层布植层及第二E型深层布植层以作为电流传导的载体层，其中，第一E型深层布植层的位置与该第二E型深层布植层的位置以镜射轴呈镜射关系，接着将包含N型井区及浅层布植层的多...
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