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本实用新型公开的属于MOS场效应管技术领域，具体为一种低功耗MOS场效应管，包括底座和顶盖，所述底座的顶部设有MOS场效应管本体，所述顶盖的内壁设有MOS场效应管本体，且顶盖的内壁开设有若干散热孔，所述底座与所述顶盖通过限位组件相连接，并再...
该专利属于深圳市嘉鑫微科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市嘉鑫微科技有限公司授权不得商用。

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