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一种双沟道MOSFET器件及其制造方法，器件包括至少一个元胞，元胞包括：漏区、第一漂移区、第二漂移区、横向沟槽栅、体区、源区、竖向沟槽栅以及源极电极。第二漂移区位于第一漂移区的上方，横向沟槽栅位于第二漂移区中，横向沟槽栅包括横向栅极以及第一...
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